Samsung представив запам'ятовувальний пристрій на чипах MLC NAND

Компанія Samsung Electronics, світовий лідер у сфері передових напівпровідникових технологій, перша в галузі початку масовий виробництво мікросхем флеш-пам'яті NAND з 3- бітною архітектурою багаторівневих гнізд (MLC).

Нові мікросхеми випускаються з кінця листопада по технологічних нормах 30-нанометрового класу. Ці мікросхеми будуть використовуватися у флеш-модулях NAND у комбінації з фірмовими контролерами пам'яті NAND з 3-бітними гніздами. Спочатку на базі таких флеш-модулів Samsung планує випускати карти пам'яті micro Secure Digital (microsd) об’ємом 8 гігабайт (ГБ).

Чипи пам'яті NAND з 3-бітною багаторівневою архітектурою гнізд підвищать ефективність накопичувачів на базі NAND на 50 % у порівнянні з 2-бітними чипами MLC NAND. Нові 3-бітні мікросхеми дозволять створювати ефективні накопичувачі на основі пам'яті NAND у формфакторах USB-пристроїв, а також карт microsd.

Samsung представив запам'ятовувальний пристрій на чипах MLC NAND об’ємом 16 Гб, виконаних по технологічних нормах 50-нанометрового класу. Масове виробництво мікросхем NAND з 3- бітною архітектурою багаторівневих гнізд по технологічному процесі 30-нанометрового класу дозволить створювати високоємні чипи (32 Гб і більш) для зберігання відео.